Hochgeschwindigkeitsübertragungs-PCB

Hochgeschwindigkeits-PCB bezieht sich auf gedruckte Leiterplatten, die zur Übertragung von digitalen Hochgeschwindigkeitssignalen (typischerweise größer oder gleich 1 GHz) oder hochfrequenzanaloge Signale (größer oder gleich 100-MHz) -Ed-Hochgeschwindigkeits-PCB-Balancezeiten und Frequenzdomänen der Elektromagnetwellenmongen und der mikrovolutierten Bitstrome-Rekonstruktion der Elektromagnetwellen und der Rekonstruktion der Elektromagnetwellen und der Rekonstruktion der Elektromagnetwellen und der Rekonstruktion der Elektromagnetikwellen und der Miserozierung. Mit Design Fokus auf:
1. Impedanzkontrolle: Differentialimpedanz -Toleranz unter ± 7% (z. . 90 ω ± 6 ω für USB4);
2. Material mit niedrigem Verlust: Dielektrizitätskonstante DK weniger als oder gleich 3,5 / Verlust-Tangente DF weniger als oder gleich 0,005 (z. B. Rogers Ro4350b);
3. 3 D Interconnect-Optimierung: Back-Drated VIAS (Stub weniger als oder gleich λ/10), phasenanpassungsbezogene Mikrostrip/Stripline;
4. Power-Rausch-Unterdrückung*: PDN-Zielimpedanz weniger als oder gleich 1MΩ (@100 kHz-1GHz).

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Produkteigenschaften

Hochgeschwindigkeits-PCBs orchestrieren elektromagnetische Felder und Bitstreams durch Sub-Millimeter-Strukturkontrolle, wobei die Pikojoule/Bit-Effizienz mit Nanosekunden-Präzision über Zeitfrequenzdomänen über die Nanosekunden-Präzision gelangt.
1. Signalintegrität im Nanosekundenbereich
Impedanztoleranz kleiner als oder gleich ± 5% (z. {{2} $ ω Diff-Paar @95-105 Ω), schief<5ps/cm

2. Übertragung von Ultra-Low-Verlust
Laminate mit niedrigem Verlust (DF weniger als oder gleich 0,003, z. B. Rogers Ro4835), Verlust, Verlust<0.6dB/inch @10GHz

3. 3 D Elektromagnetische Kontrolle
Durch Stubs, die weniger als 0,2 mm oder gleich 0,2 mm, nach hinten ausgebaut sind, mikrostrip/Stripline-Phase, die weniger als oder gleich 1 Grad entspricht

4. ultra-projet Stromversorgung
PDN -Impedanz weniger als oder gleich 0,5 mΩ (@1 MHz), SSN -Unterdrückung innerhalb von ± 2%

5. Präzisions -Timing -Management
Länge Matching ± 5 Mio. (0,127 mm), Intra-Pair-Verschleierung von weniger oder gleich 0,15UI

Produktanwendungsfeld

Kommunikationssysteme

5G -Infrastruktur: MMWAVE -Basisstationen/ massive MIMO -Antennen
(Optische Kommunikation: 400 g+ Transceiver/ kohärente Übertragungssysteme)

Rechenzentren

AI -Computercluster: GPU -Beschleuniger/ NVLink -Backplanes
Hochgeschwindigkeitsumschaltung: 112G PAM4 Switches/ SmartNics

Intelligente Fahrzeuge

Autonomes Fahren: Lidar-Controller/ Multi-Sensor-Fusionssysteme
V2X: Telematik -Steuereinheiten/ Automobil -Ethernet -Gateways

Hochleistungs-Computing

Supercomputing: Exascale Interconnects/ flüssiggekühlte Motherboards
Quantum Computing: Kryogene Kontrollgrenzflächen/ Mikrowellenimpulsgeneratoren

Luft- und Raumfahrt & Verteidigung

SATCOM: Phased Array Radar Panels/ Ka-Band-Transceivers
Avionik: Flugsteuerungscomputer/ Radarsignalprozessoren

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