Hervorragende Kupferplatine

Hervorragende Kupferplatine bezieht sich auf eine spezialisierte Leiterplatte mit lokalisierten 3D-Kupferstrukturen (50-200 μm über der Leiterebene), die durch selektives Verpacken oder Radieren erzeugt wird. Zu den Kernfunktionen gehören:
1. 3 D Interconnection: fungiert als vertikale leitende Säulen für Flip - Chipverpackung, ersetzen Lötkugeln;
2. Thermisches Management: Direkter Kontakt mit Wärme - Erzeugung von Komponenten reduziert den thermischen Widerstand um 30%-50%;
3. Hoch - Stromtransport: Die lokale Kupferdicke erreicht 400 μm+ (gegenüber weniger als oder gleich 70 μm in Standard-PCBs) und ermöglicht eine höhere Stromkapazität von 3-5x.
Schlüsselprozess: Erstellt mit MSAP (modifiziertes SEMI - Additive Prozess) oder Musterbeschichtung mit der fotoresistischen Maskierung.

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Produkteigenschaften

1. 3 D Kupfertopologie
50-200 & mgr; m hohe Kupferbeulen/Säulen (gegenüber weniger als oder gleich 10 μm Flachheit in Standard-PCBs) ermöglichen vertikale Verbindungen und mechanische Verankerung.

2. lokalisiertes dickes Kupfer
200-400 μm Kupferdicke in kritischen Bereichen (gegenüber weniger als oder gleich 70 μm), was eine höhere Stromkapazität von 3-5x liefert.

3.. Eingebettete thermisches Management
Direct chip-to-copper contact reduces thermal resistance by >40% (z. . 30 Grad IGBT Junction Temp Drop).

4. Präzisionsplatzierung
Die Photolithographie erreicht eine Alignmentgenauigkeit von ± 5 & mgr; m mit minimalem 80 & mgr; m Beulendurchmesser.

5. Hybridmaterialintegration
Kompatibel mit Kupfer - Keramik (ALN) und Kupfer - Harz -Komposit -Substraten.

Produktanwendungsfeld

Leistungselektronik

Tech Edge: 400 & mgr; m Lokales Kupfer trägt 200a+, Bumps Direct - an IGBT/SIC -Die (40% niedrigere r_th)

Anwendungsfälle: EV -Motorantriebe, Solarwechselrichter, industrielle VFDs

Erweiterte Verpackung

Tech Edge: 80 & mgr; m Cu -Säulen ermöglichen weniger als 50 μm - Tonhöhe 2.5D/3D IC -Interconnects (30% Kosteneinsparung vs. TSV)
Anwendungsfälle: HBM -Interposer, Chiplet -Integrationssubstrate

Automotive High - Spannungssysteme

Tech Edge: Cu -Beulen liefern mechanische Verankerung für hohe - Stromverbindungen (überleben Sie 20G Vibration)
Anwendungsfälle: EV -Akku -Management -Einheiten (BMU), Ultra - schnelle Ladeports

Hoch - Frequenz rf

Tech Edge: Cu -Beulen bilden λ/4 -Wellenleiter (weniger als oder gleich 1 Grad -Phasenfehler bei 77 GHz)
Anwendungsfälle: 5G MMWAVE FEED -Netzwerke, Satelliten -T/R -Module

Luft- und Raumfahrtmacht

Tech Edge: Cu-AlN composites withstand -55℃~200℃ thermal cycling (>500 Zyklen)
Anwendungsfälle: Satelliten -Leistungskonverter, Flugzeugmotorencontroller

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